IRLR2908 分立半导体产品 晶体管 HEXFE 集成电路 IR
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IRLR2908-分立半导体产品-晶体管-HEXFE

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商品参数
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品牌 IR
封装 TO-252
系列 HEXFET
批号 22+
包装 最新
技术 MOSFET(金属氧化物)
FET 类型 N 通道
漏源电压(Vdss) 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 28 毫欧 @ 23A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 33 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1890 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 120W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
型号 IRLR2908
数量 92000
商品介绍

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公司名称 半导体电子元器件厂家
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地址 广东省深圳市
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